高品质半导体硅片、氧化片、氮化硅片、镀金硅片

硅片：

直径2~12英寸

抛光类型：单抛/双抛；

掺杂类型:N / P/本征 ；

晶向：<100> /<110> /<111> ；

电阻率：0.001~高阻Ω.cm；

厚度：0.1mm~5mm；

可用于IC、MEMS、功率器件、微纳结构制造等

其他规格详情如：正片/dummy片，CZ/FZ等要求可咨询。

耐腐蚀氧化片：

直径2~12英寸；

氧化层厚度：10nm~15um；

单面氧化/双面氧化，应力可控制，高致密，耐酸碱腐蚀；

其他规格详情等可咨询。

Si3N4氮化硅片：

直径2~8英寸；

单面氮化硅/双面氮化硅；

氮化硅厚度：10nm~1.5um，应力＜100MPa；

严格的化学计量比，适用于制作悬臂梁等结构；

其他规格详情等可咨询。   

SOI/GOI/外延片：

直径2~8英寸；

器件层厚度可定制；

其他规格详情等可咨询。

石英片/BF33/D263T玻璃片:

直径2~8英寸，厚度可定制；

其他规格详情等可咨询

砷化镓（GaAs）片/ 铌酸锂（LiNbO3）晶圆: 

直径2~6英寸，厚度可定制；

其他规格详情等可咨询

镀膜片：

镀金片、镀铂片、氧化硅片、氮化硅片、多晶硅片等

其他衬底：

GaN（氮化镓），蓝宝石，氧化铝陶瓷，氮化铝（AlN）陶瓷，碳化硅（SiC）片，SOS等