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研材耗材-光刻胶系列产品

光刻技术-4

 

薄光刻胶：

型号 光源 类型 分辨率 厚度（um） 适用范围
SPR955系列 i-Line 正性 0.35um 0.6-3.5 广泛使用的高分辨率正胶
S18xx系列 g-Line 正性 0.5um 0.4-3.5 最常用的薄光刻胶，稳定可靠
BCI-3511 i-Line 正性 0.35um 0.5-2 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用
NDR6015 248nm 负性 0.2um 0.7-1.3 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用

 

厚光刻胶：

型号 光源 类型 分辨率 厚度（um） 适用范围
SU-8 GM10xx系列 g/h/i-Line 负性 0.1um 0.1-200 具有最大的高宽比，透明度高，垂直度极好
SU-8 Microchem g/h/i-Line 负性 0.5um 0.5-650 具有最大的高宽比，透明度高，垂直度极好
SPR220 g/h/i-Line 正性 1um 1-30 可用于选择性电镀，深硅刻蚀等工艺
NR26-25000P g/h/i-Line 负性 / 20-130 厚度大，相对容易去胶

 

Liftoff光刻胶：

型号 光源 类型 分辨率 厚度（um） 适用范围
ROL-7133 g/h/i-Line 负性 4um 2.8-4 负性光刻胶，倒角75-80o,使用普通正胶显影液
LOR/PMGI g/h/i-Line / NA 25nm-5µm

非感光性树脂，可以呗显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用

 

电子光束光刻胶：

型号 光源 类型 分辨率 厚度（um） 适用范围
SU-8 GM1010 电子束 负性 1um 0.1-0.2 可用于做高宽比比较大的纳米结构
PMMA(国产） 电子束 正性 / / 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻工艺
PMMA（进口） 电子束 正性 / / MicroChem,各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻正胶
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，利用光刻胶的化学反应机理和显影原理，将其作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。匠质纳米长期提供多种类型的光刻胶，其中电子光束光刻胶更具高性价比。